最近媒体铺天盖地报道三星的星n芯片3nm将要投产，而且是备投划时代的GAA（环绕栅极）晶体管。“到底是产中骡子是马”还不好下判断，也许是国厂4nm翻车让三星痛定思痛，加快了进度；也有可能是商的首公关障眼法。

在TheElec最新报道提到，矿机三星最快本周开始试产3nm工艺，用上第一个客户来自中国矿机芯片厂商，星n芯片名为PanSemi。备投

这似乎表明，产中PanSemi资金雄厚且胆子挺大，国厂毕竟三星3nm初期产能很低。商的首

企查查工商信息显示，矿机PanSemi实为上海磐矽半导体技术有限公司，用上2016年才成立，星n芯片实缴注册资本4500万。遗憾的是，该公司其它资料不多，官网十分简陋，公布的企业参保人数也仅有3人。

回到3nm本身，按照三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%。相较于目前应用在5nm、7nm上最先进成熟的FinFET晶体管，GAA可以更精确地控制电流、栅极宽度也更窄。