6月30日消息，星宣芯片三星电子今日宣布，布纳基于3纳米（nm）全环绕栅极（Gate-All-AroundT，架构技术简称 GAA）制程工艺节点的制程芯片已经开始初步生产。

3nm GAA技术采用了更宽通的开始纳米片，与采用窄通道纳米线的生产GAA技术相比能提供更高的性能和能耗比。

与三星5nm工艺相比，星宣芯片第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，布纳性能提升23%，架构技术芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，制程性能提升30%，开始芯片面积减少35%。生产